IPD集成无源器件III型
II型
III型
IPD技术可集成多种电子功能，具有布线密度高，体积小，可通过半导体***技术制作并集成电阻，电容，电感于***体的功能性器件，作为单***或集成传感器应用于射频前端(5G)、无线连接等微机电系统领域。森丸电子已具备玻璃/硅基4P4M RDL及3D IPD产品研发能力，同时在玻璃基高深宽比激光诱导腐蚀开孔，过孔金属填充，3D互联，平坦化具有***外***技术。
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IPD集成无源器件III型
详细信息 IPD集成无源器件III型 II型 III型 IPD技术可集成多种电子功能，具有布线密度高，体积小，可通过半导体***技术制作并集成电阻，电容，电感于***体的功能性器件，作为单***或集成传感器应用于射频前端(5G)、无线连接等微机电系统领域。森丸电子已具备玻璃/硅基4P4M RDL及3D IPD产品研发能力，同时在玻璃基高深宽比激光诱导腐蚀开孔，过孔金属填充，3D互联，平坦化具有***外***技术。 |