拉晶过程全程自动化
在惰性气体环境中,用石墨加热器将硅材料熔化,
用直拉法生长无位错单晶的设备。
性能优势
设备主体结构优化,提高了整机稳定性。
具有拉制12英寸COP FREE半导体单晶硅棒的功能。
采用新型隔离阀。
液面高度监控系统。
高精度传动机构。
双层水冷套、可升降双层水冷屏。
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详细信息 拉晶过程全程自动化 在惰性气体环境中,用石墨加热器将硅材料熔化, 用直拉法生长无位错单晶的设备。
性能优势 设备主体结构优化,提高了整机稳定性。 具有拉制12英寸COP FREE半导体单晶硅棒的功能。 采用新型隔离阀。 液面高度监控系统。 高精度传动机构。 双层水冷套、可升降双层水冷屏。 |