技术特色
◆超低能量、超高剂量：能量低至20eV(Option)、剂量1E14-1E18 at/cm3
◆占地面积小，节省空间：占地面积比普通的线束离子注入节约50%
◆易于***整合：兼容标准的PR剥离，可靠的计量控制，沉积和刻蚀控制，
◆无能量污染
◆更灵活：适用范围广，从小样片到300mm的晶圆， 同时适用于3D结构样片
应用举例
◆S/D 或 多晶硅掺杂(DRAM、FLASH)
◆3D掺杂：如FINFET、沟槽
◆大功率器件的背接触掺杂
◆CMOS图像传感器、光电二极管、UV探测器
◆太阳能电池：可提高电池的转换效率
◆材料的表面处理：如增强材料表面的硬度、附着力、抗腐蚀及耐磨性等
◆材料改性：如硅纳米晶合成、渗氮、氢化
