离子注入设备SOPHI-30
SOPHI-400
IMX-3500
离子注入是指当真空中有***束离子束射向***块固体材料时，离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面，这个现象叫做溅射；而当离子束射到固体材料时，从固体材料表面弹了回来，或者穿出固体材料而去，这些现象叫做散射；另外有***种现象是，离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并***终停留在固体材料中的这***现象叫作离子注入。
在电子工业中，离子注入成为了微电子***中的***种重要的掺杂技术，也是控制MOSFET阈值电压的***个重要手段。因此在当代制造大规模集成电路中，可以说是***种必不可少的手段。
离子注入的方法就是在真空中、低温下，把杂质离子加速（对Si，电压≥105 V），获得很大动能的杂质离子即可以直接进入半导体中；同时也会在半导体中产生***些晶格缺陷，因此在离子注入后需用低温进行退火或激光退火来消除这些缺陷。离子注入的杂质浓度分布***般呈现为高斯分布，并且浓度***高处不是在表面，而是在表面以内的***定深度处。
