MARS iCE115 碳化硅外延系统
MARS iCE115 SiC Epitaxy System
MARS iCE115主要用于4、6英寸SiC外延***。采用水平热壁式技术路线，应用先进的控温、控压算法和专业的进气、混流结构，使得整个外延***过程中热场和气流场均匀稳定。***指标如厚度均匀性、掺杂浓度均匀性、缺陷密度等均达到了行业先进水平。设备特点薄膜和厚膜外延兼容，***稳定性高
具备多层外延能力
专业的气流场和加热场设计，***性能优
可靠的压力控制系统，成膜***均***性好
产品应用晶圆尺寸
4、6英寸
适用材料
碳化硅
适用***
N&P碳化硅外延
适用领域
化合物半导体、衬底材料、科研领域
