立式氧化炉（300mm/200mm)是在中高温下通入特定气体（O2/H2/DCE），在硅片表面发生氧化反应，生成二氧化硅薄膜的***种设备。生成的二氧化硅薄膜可以作为集成电路器件前道的缓冲介质层、牺牲氧化层和栅氧化层。
随着集成电路制造***要求的提高，特征尺寸不断缩小，对高端集成电路***处理设备的需求也越来越强烈。相比较传统炉管设备，立式氧化炉优势：高效生产性能，高精度温度控制性能，良好成膜均匀性能，先进颗粒控制技术，完整的工厂自动化接口等。北方华创立式氧化炉的出现，打破了长久以来的国外垄断局面，推动了***半导体事业的蓬勃发展，产生了可观的经济效益
应用领域：
28nm及以上的集成电路、先进封装、功率器件
适用***：
干氧氧化、湿氧氧化、DCE氧化、氮氧化硅氧化
